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2N4921晶体管资料

  • 2N4921别名：2N4921三极管、2N4921晶体管、2N4921晶体三极管

  • 2N4921生产厂家：美国摩托罗拉半导体公司_美国国民半导体公司_德国电

  • 2N4921制作材料：Si-PNP

  • 2N4921性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L

  • 2N4921封装形式：直插封装

  • 2N4921极限工作电压：40V

  • 2N4921最大电流允许值：1A

  • 2N4921最大工作频率：>3MHZ

  • 2N4921引脚数：3

  • 2N4921最大耗散功率：30W

  • 2N4921放大倍数：

  • 2N4921图片代号：B-21

  • 2N4921vtest：40

  • 2N4921htest：3000100

  • 2N4921atest：1

  • 2N4921wtest：30

  • 2N4921代换 2N4921用什么型号代替：BD135,BD165,BD175,BD185,BD233,BD437,3DD30A,

2N4921价格

参考价格：￥1.5093

型号：2N4921G 品牌：ONSemi 备注：这里有2N4921多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2N4921批发/采购报价，2N4921行情走势销售排行榜，2N4921报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2N4921

1 AMPERE GENERAL PURPOSE POWER TRANSISTORS 30 WATTS

These high−performance plastic devices are designed for driver circuits, switching, and amplifier applications. Features • Low Saturation Voltage − VCE(sat) = 0.6 Vdc (Max) @ IC = 1.0 A • Excellent Power Dissipation Due to Thermopad Construction − PD = 30 W @ TC = 25°C • Excellent Safe Ope

ONSEMI

安森美半导体

2N4921

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-126 package • Complement to type 2N4918/4919/4920 • Excellent safe operating area • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For driver circuits ,switching ,and amplifier applications

ISC

无锡固电

2N4921

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-126 package • Complement to type 2N4918/4919/4920 • Excellent safe operating area • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For driver circuits ,switching ,and amplifier applications

JMNIC

锦美电子

2N4921

MEDIUM-POWER PLASTIC NPN SILICON TRANSISTORS

Medium-Power Plastic NPN Silicon Transistors

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N4921

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-126 package • Complement to type 2N4918/4919/4920 • Excellent safe operating area • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For driver circuits ,switching ,and amplifier applications

SAVANTIC

2N4921

Medium Power NPN Bipolar Power Transistor

The Power 3 A, 80 V Bipolar NPN Transistor is designed for driver circuits, switching and amplifier applications. • Low Saturation Voltage - VCE(sat) = 0.6 Vdc (Max) @ IC = 1.0 Amp\n• Excellent Power Dissipation - PD = 30 W @ TC = 25°C\n• Excellent Safe Operating Area\n• Gain Specified to IC = 1.0 Amp\n• Complement of PNP 2N4918, 2N4919, 2N4920\n• Pb-Free Packages are Available;

ONSEMI

安森美半导体

2N4921

Silicon NPN Power Transistors

文件：47.08 Kbytes Page：3 Pages

JMNIC

锦美电子

2N4921

Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch

CENTRAL

2N4921

Trans GP BJT NPN 40V 1A 3-Pin TO-126 Box

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N4921

Silicon NPN Power Transistors

文件：106.11 Kbytes Page：3 Pages

SAVANTIC

2N4921

封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3 包装：散装 描述：TRANS NPN 40V 1A TO126 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMI

安森美半导体

2N4921

Medium?뭁ower Plastic NPN Silicon Transistors

文件：90.97 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2N4921_06

Medium?뭁ower Plastic NPN Silicon Transistors

文件：90.97 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2N4921_15

Silicon NPN Power Transistors

文件：47.08 Kbytes Page：3 Pages

JMNIC

锦美电子

2N4921G

Medium-Power Plastic NPN Silicon Transistors

文件：198.11 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2N4921G

Medium-Power Plastic NPN Silicon Transistors

文件：150.47 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2N4921G

Medium?뭁ower Plastic NPN Silicon Transistors

文件：90.97 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2N4921G

封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3 包装：管件 描述：TRANS NPN 40V 1A TO126 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMI

安森美半导体

2N4921G_13

Medium-Power Plastic NPN Silicon Transistors

文件：150.47 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2N4921G_17

Medium-Power Plastic NPN Silicon Transistors

文件：198.11 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2N4921产品属性

  • 类型

    描述

  • Pb-free：

    Pb

  • Halide free：

    H

  • Status：

    Active

  • Polarity：

    NPN

  • Type：

    General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)：

    0.6

  • IC Cont. (A)：

    1

  • VCEO Min (V)：

    40

  • VCBO (V)：

    40

  • VEBO (V)：

    5

  • VBE(sat) (V)：

    1.3

  • VBE(on) (V)：

    1.3

  • hFE Min：

    30

  • hFE Max：

    150

  • fT Min (MHz)：

    3

  • PTM Max (W)：

    30

  • Package Type：

    TO-225-3

2N4921供应商更多...

更新时间：2026-8-1 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
2N4921G
onsemi(安森美)
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