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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2N4402TA

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线 包装:带盒(TB) 描述:TRANS PNP 40V 0.6A TO92-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMI

安森美半导体

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线 包装:散装 描述:TRANS PNP 40V 0.6A TO92-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMI

安森美半导体

PNP General Purpose Amplifier

PNP General Purpose Amplifier This device is designed for use as general purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 500 mA.

FAIRCHILD

仙童半导体

Si-Epitaxial PlanarTransistors

Si-Epitaxial PlanarTransistors • Power dissipation 625 mW • Plastic case TO-92 • Weight approx. 0.18 g • Plastic material has UL classification 94V-0 • Standard packaging t

DIOTEC

德欧泰克

PNP EXPITAXIAL SILICON TRANSISTOR?

PNP EXPITAXIAL SILICON TRANSISTOR General purpose transistor

SEMTECH

先之科

NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR

THE 2N4402, 2N4403 ARE PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS FOR GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS AND MEDIUM SPEED SWITCHING APPLICATIONS. THEY ARE COMPLEMENTARY TO THE NPN TYPE 2N4400 AND 2N4401 RESPECTIVELY.

MICRO-ELECTRONICS

General Purpose Transistors(PNP Silicon)

文件:297.77 Kbytes Page:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2N4402TA产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N4402TA

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2026-8-3 15:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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