位置:首页 > IC中文资料 > 2N4360

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2N4360

LOW NOISE VOLTAGE

• LOW NOISE VOLTAGE •• 0.08 μV/√Hz (MAX) @ 100 Hz • HIGH Yfs •• 4000 μmhos (MIN) • LOW rDS (on) •• 350 Ω (MAX) • LOW COST EPOXY PACKAGE

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N4360

Trans MOSFET P-CH Si 20V

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N4360产品属性

  • 类型

    描述

  • Minimum Operating Temperature:

    -55ᄀC

  • Maximum Power Dissipation:

    200mW

  • Maximum Operating Temperature:

    125ᄀC

  • Maximum Gate Source Voltage:

    -20V

  • Maximum Drain Source Voltage:

    20V

  • Material:

    Si

  • Configuration:

    Single

  • Channel Type:

    P

  • Category:

    Power MOSFET

更新时间:2026-8-1 16:20:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MOT
25+
14
公司优势库存 热卖中!

2N4360数据表相关新闻