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2N426晶体管资料

  • 2N426别名：2N426三极管、2N426晶体管、2N426晶体三极管

  • 2N426生产厂家：CSR_美国电子晶体管公司_美国得克萨斯仪表公司

  • 2N426制作材料：Ge-PNP

  • 2N426性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）

  • 2N426封装形式：直插封装

  • 2N426极限工作电压：30V

  • 2N426最大电流允许值：0.4A

  • 2N426最大工作频率：<1MHZ或未知

  • 2N426引脚数：3

  • 2N426最大耗散功率：0.15W

  • 2N426放大倍数：β>30

  • 2N426图片代号：D-9

  • 2N426vtest：30

  • 2N426htest：999900

  • 2N426atest：0.4

  • 2N426wtest：0.15

  • 2N426代换 2N426用什么型号代替：ASY26,ASY27,ASY76,ASY77,2N1303,3AX55B,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2N426

alloy-junction germanium transistors

[INTEX/ SEMITRONICS CORP] alloy-junction germanium transistors

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

2N426

GE PNP LO-PWR BJT

Description: Ge PNP Lo-Pwr BJT

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N426

GERMAIUM PNP MESA TRANSISTORS

GERMABIUM PNP MESA TRANSISTORS GERMABIUM PNP SMALL SIGNAL TRANSISTORS

AMMSEMI

2N4260

P-N-P SILICON TRANSISTORS

P-N-P SILICON TRANSISTORS DESIGNED FOR VHF AND UHF AMPLIFIER APPLICATIONS

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N4261

P-N-P SILICON TRANSISTORS

P-N-P SILICON TRANSISTORS DESIGNED FOR VHF AND UHF AMPLIFIER APPLICATIONS

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N4261

PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR

PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/511

MICROSEMI

美高森美

2N4261

Type 2N4261 Geometry 0014 Polarity PNP

Chip type 2C4261 by Semicoa Semiconductors provides performance similar to these devices. Features: Special Characteristics ft = 1.8 GHz (typ) at 10 mA/10V APPLICATIONS: Designed for low voltage, low gain RF amplifier applications.

SEMICOA

2N4261UB

PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR

PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/511

MICROSEMI

美高森美

2N4261UB

PNP Transistor

This 2N4261UB small signal transistor features ceramic bodied construction with a metal lid for military grade products per MIL-PRF-19500/511. It is also available with a ceramic lid in the UBC package or in a hermetically sealed metal TO-72 package.

MICROCHIP

微芯科技

2N4264

General Purpose Transistor(NPN Silicon)

General Purpose Transistor NPN Silicon

ONSEMI

安森美半导体

2N4264

Small Signal Transistors

Small Signal Transistors

CENTRAL

2N4265

SI NPN LP HF BJT

Description: Si NPN LP HF BJT

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N4269

Small Signal Transistors

Small Signal Transistors TO-18 Case (Continued)

CENTRAL

2N4260

Chip Type 2C4261 Geometry 0014 Polarity PNP

文件：29.18 Kbytes Page：1 Pages

SEMICOA

2N4260UB

Chip Type 2C4261 Geometry 0014 Polarity PNP

文件：29.18 Kbytes Page：1 Pages

SEMICOA

2N4261

Silicon PNP Transistor

文件：111.56 Kbytes Page：2 Pages

SEMICOA

2N4261

Chip Type 2C4261 Geometry 0014 Polarity PNP

文件：29.18 Kbytes Page：1 Pages

SEMICOA

2N4261

PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR

文件：196.81 Kbytes Page：5 Pages

MICROSEMI

美高森美

2N4261

Trans GP BJT PNP 15V 0.03A 4-Pin TO-72

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N4261

PNP Transistor

MICROCHIP

微芯科技

2N4261_05

Silicon PNP Transistor

文件：111.56 Kbytes Page：2 Pages

SEMICOA

2N4261_1

PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR

文件：196.81 Kbytes Page：5 Pages

MICROSEMI

美高森美

2N4261UB

PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR

文件：196.81 Kbytes Page：5 Pages

MICROSEMI

美高森美

2N4261UB

Silicon PNP Transistor

文件：111.85 Kbytes Page：2 Pages

SEMICOA

2N4261UB

Chip Type 2C4261 Geometry 0014 Polarity PNP

文件：29.18 Kbytes Page：1 Pages

SEMICOA

2N4261UB

封装/外壳：3-SMD，无引线 包装：散装 描述：TRANS PNP 15V 0.03A UB 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

MICROCHIP

微芯科技

2N4261UB_05

Silicon PNP Transistor

文件：111.85 Kbytes Page：2 Pages

SEMICOA

2N4261UBC

PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR

文件：196.81 Kbytes Page：5 Pages

MICROSEMI

美高森美

2N4264 PBFREE

封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 15V 0.2A TO92 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

CENTRAL

2N4264_15

NPN SILICON TRANSISTOR

文件：103.63 Kbytes Page：2 Pages

CENTRAL

2N4269S

BIPOLAR NPN SILICON TRANSISTOR

文件：23.77 Kbytes Page：2 Pages

SEME-LAB

2N426产品属性

  • 类型

    描述

  • Maximum Power Dissipation：

    200mW

  • Maximum Operating Temperature：

    200°C

  • Maximum Emitter Base Voltage：

    4.5V

  • Maximum DC Collector Current：

    0.03A

  • Maximum Collector Emitter Voltage：

    15V

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：

    0.15@0.1mA@1mA

  • Maximum Collector Base Voltage：

    15V

  • Material：

    Si

  • Category：

    Bipolar Small Signal

2N426供应商更多...

更新时间：2026-5-15 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
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2N4265
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