2N4235晶体管资料

  • 2N4235别名:2N4235三极管、2N4235晶体管、2N4235晶体三极管

  • 2N4235生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司_德国电子元件股份公司_美国

  • 2N4235制作材料:Si-PNP

  • 2N4235性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)

  • 2N4235封装形式:直插封装

  • 2N4235极限工作电压:60V

  • 2N4235最大电流允许值:3A

  • 2N4235最大工作频率:>3MHZ

  • 2N4235引脚数:3

  • 2N4235最大耗散功率:1W

  • 2N4235放大倍数

  • 2N4235图片代号:C-62

  • 2N4235vtest:60

  • 2N4235htest:3000100

  • 2N4235atest:3

  • 2N4235wtest:1

  • 2N4235代换 2N4235用什么型号代替:BFT35,BFT36,BFT37,BSS46,2N6190,2N6191,2N6192,2N6193,3CK10E,

2N4235价格

参考价格:¥4.6336

型号:2N4235 品牌:MULTICOMP 备注:这里有2N4235多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,2N4235批发/采购报价,2N4235行情走势销售排行榜,2N4235报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2N4235

GENERAL PURPOSE TRANSISTOR (PNP SILICON)

GENERAL PURPOSE TRANSISTOR PNP SILICON

boca

博卡

2N4235

COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER AMPLIFIERS & SWITCHES

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MICRO-ELECTRONICS

2N4235

Small Signal Transistors

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Central

2N4235

Power Transistors

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ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

2N4235

NPN POWER AMPLIFIER SILICON TRANSISTOR

NPN POWER AMPLIFIER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/580

Microsemi

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2N4235

NPN POWER AMPLIFIER SILICON TRANSISTOR

NPN POWER AMPLIFIER SILICON TRANSISTOR

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N4235

封装/外壳:TO-205AD,TO-39-3 金属罐 包装:散装 描述:TRANS PNP 60V 1A TO205AD 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

Microchip

微芯科技

2N4235

Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch

Central

2N4235

Trans GP BJT NPN 60V 1A 3-Pin TO-39

NJS

2N4235

Bipolar Junction Transistors

TTELEC

2N4235

Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO39

文件:16.17 Kbytes Page:1 Pages

SEME-LAB

Seme LAB

2N4235

PNP SILICON PLANAR TRANSISTORS

文件:68.02 Kbytes Page:4 Pages

CDIL

2N4235

SILICON PNP TRANSISTORS

文件:509.29 Kbytes Page:2 Pages

Central

封装/外壳:TO-205AD,TO-39-3 金属罐 包装:散装 描述:POWER BJT 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

Microchip

微芯科技

2N4235产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N4235

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT PNP Power SW

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-10-6 22:30:00
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