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2N4125TA

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线 包装:带盒(TB) 描述:TRANS PNP 30V 0.2A TO92-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMI

安森美半导体

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线 包装:散装 描述:TRANS PNP 30V 0.2A TO92-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMI

安森美半导体

PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

AMPLIIFER TRANSISTOR • Collector-Emitter Voltage: VCEO = 30V • Collector Dissipation: PC(max) = 625mW

SAMSUNG

三星

PNP General Purpose Amplifier

PNP General Purpose Amplifier This device is designed for use as general purpose amplifiers and switches requiring collector currents of 10 µA to 100 mA.

FAIRCHILD

仙童半导体

Small Signal Transistors

Small Signal Transistors

CENTRAL

PNP General Purpose Amplifier

文件:61.79 Kbytes Page:6 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSITORS

文件:84.54 Kbytes Page:1 Pages

CENTRAL

更新时间:2026-5-15 17:20:00
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