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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2N3868S

Silicon PNP Power Transistors

PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/350

MICROSEMI

美高森美

2N3868S

PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR

文件:121.29 Kbytes Page:4 Pages

MICROSEMI

美高森美

2N3868S

包装:散装 描述:TRANS PNP 60V 0.003A TO39 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

MICROCHIP

微芯科技

2N3868S

Trans GP BJT PNP 60V 3A 3-Pin TO-39

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N3868S

PNP Transistor

MICROCHIP

微芯科技

Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed

文件:14.67 Kbytes Page:1 Pages

SEME-LAB

Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed

文件:15.41 Kbytes Page:1 Pages

SEME-LAB

Bipolar Junction Transistors

TTELEC

Silicon PNP Power Transistors

PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/350

MICROSEMI

美高森美

Silicon PNP Power Transistors

PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/350

MICROSEMI

美高森美

Silicon PNP Power Transistors

PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/350

MICROSEMI

美高森美

Silicon PNP Power Transistors

PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/350

MICROSEMI

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Silicon PNP Power Transistors

PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/350

MICROSEMI

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2N3868S产品属性

  • 类型

    描述

  • Maximum Power Dissipation:

    1000mW

  • Maximum Operating Temperature:

    200°C

  • Maximum Emitter Base Voltage:

    4V

  • Maximum DC Collector Current:

    3A

  • Maximum Collector Emitter Voltage:

    60V

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:

    0.5@50mA@500mA

  • Maximum Collector Base Voltage:

    60V

  • Material:

    Si

  • Configuration:

    Single

  • Category:

    Bipolar Power

更新时间:2026-8-1 15:08:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MSC
三年内
1983
只做原装正品
MICROCHIP
23+
7300
专注配单,只做原装进口现货
MICROCHIP/微芯
23+
CAN3
5000
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
MICROSEMI
25+
SMD
326
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