2N3859晶体管资料

  • 2N3859别名:2N3859三极管、2N3859晶体管、2N3859晶体三极管

  • 2N3859生产厂家:美国通用电器公司_SEM_美国史普拉各电气公司

  • 2N3859制作材料:Si-NPN

  • 2N3859性质:通用型 (Uni)

  • 2N3859封装形式:直插封装

  • 2N3859极限工作电压:30V

  • 2N3859最大电流允许值:0.1A

  • 2N3859最大工作频率:140MHZ

  • 2N3859引脚数:3

  • 2N3859最大耗散功率:0.36W

  • 2N3859放大倍数:β>100

  • 2N3859图片代号:A-20

  • 2N3859vtest:30

  • 2N3859htest:140000000

  • 2N3859atest:0.1

  • 2N3859wtest:0.36

  • 2N3859代换 2N3859用什么型号代替:BC168,BC183,BC238,BC548,BC108,BC172,BC208,BC383,BC583,2N2220,2N2221,2N2222,3DG121M,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

NPN General Purpose Amplifier

NPN General Purpose Amplifier • This device designed for use as general purpose amplifier and switches requiring collector currents to 300mA. • Sourced from Process 10. • See PN100 for characteristics.

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Silicon Transistors The GE/RCA 2N3858, 2N3859 and 2N3860 are planar epitaxial passivated NPN silicon transistors designed primarlly for AM radio I.F. and converter applications. These types are supplied in JEDEC to-98 package.

GESS

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Silicon Transistors NPN

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

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封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线 包装:散装 描述:TRANS NPN 60V 0.5A TO92-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

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安森美半导体

2N3859产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N3859

  • 功能描述

    Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-98

更新时间:2025-12-15 20:18:00
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