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2N3777晶体管资料

  • 2N3777别名:2N3777三极管、2N3777晶体管、2N3777晶体三极管

  • 2N3777生产厂家:美国固体电子公司_SSI_美国Teledyne晶体管电子公司

  • 2N3777制作材料:Si-PNP

  • 2N3777性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)

  • 2N3777封装形式:直插封装

  • 2N3777极限工作电压:100V

  • 2N3777最大电流允许值:1A

  • 2N3777最大工作频率:>1MHZ

  • 2N3777引脚数:3

  • 2N3777最大耗散功率:5W

  • 2N3777放大倍数:β>20

  • 2N3777图片代号:C-40

  • 2N3777vtest:100

  • 2N3777htest:1000100

  • 2N3777atest:1

  • 2N3777wtest:5

  • 2N3777代换 2N3777用什么型号代替:BSS17,BSW40,2N5322,3CA4D,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2N3777

SI PNP POWER BJT

Description: Si PNP Power BJT

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N3777

PNP SILICON POWER TRANSISTORS

文件:124.5 Kbytes Page:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N3777

封装/外壳:TO-205AA,TO-5-3 金属罐 包装:散装 描述:POWER BJT 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

MICROCHIP

微芯科技

2N3777

Trans GP BJT PNP 100V 1A 3-Pin TO-5

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N3777

PNP Transistor

MICROCHIP

微芯科技

2N3777产品属性

  • 类型

    描述

  • Maximum Power Dissipation:

    5000mW

  • Maximum DC Collector Current:

    1A

  • Maximum Collector Emitter Voltage:

    100V

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:

    0.2@0.02mA@0.2mAV

  • Configuration:

    Single

  • Category:

    Bipolar Power

更新时间:2026-5-13 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Microchip Technology / Atmel
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