2N3763晶体管资料

  • 2N3763(S)别名:2N3763(S)三极管、2N3763(S)晶体管、2N3763(S)晶体三极管

  • 2N3763(S)生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司_RAY_SSI

  • 2N3763(S)制作材料:Si-PNP

  • 2N3763(S)性质:开关管 (S)_TR

  • 2N3763(S)封装形式:直插封装

  • 2N3763(S)极限工作电压:60V

  • 2N3763(S)最大电流允许值:1.5A

  • 2N3763(S)最大工作频率:>180MHZ

  • 2N3763(S)引脚数:3

  • 2N3763(S)最大耗散功率:1W

  • 2N3763(S)放大倍数

  • 2N3763(S)图片代号:C-40

  • 2N3763(S)vtest:60

  • 2N3763(S)htest:180000100

  • 2N3763(S)atest:1.5

  • 2N3763(S)wtest:1

  • 2N3763(S)代换 2N3763(S)用什么型号代替:BSV82,2SA799,

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2N3763

Type 2N3763 Geometry 6706 Polarity PNP

Features: • General-purpose transistor for switching and amplifier applicatons. • Housed in a TO-39 case. • Also available in chip form using the 6706 chip geometry. • The Min and Max limits shown are per MIL-PRF-19500/396 which Semicoa meets in all cases.

Semicoa

2N3763

PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR

PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/396

Microsemi

美高森美

2N3763

SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081

Collector connected to case

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

2N3763

Small Signal Transistors

Small Signal Transistors TO-39 Case

Central

2N3763

PNP SILICON TRANSISTOR

文件:77.15 Kbytes Page:2 Pages

Central

2N3763

Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package.

文件:18.88 Kbytes Page:1 Pages

SEME-LAB

Seme LAB

2N3763

封装/外壳:TO-205AD,TO-39-3 金属罐 包装:散装 描述:TRANSISTOR 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

Central

2N3763

包装:散装 描述:PNP TRANSISTOR 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

Microchip

微芯科技

PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR

PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/396

Microsemi

美高森美

Type 2N3763L Geometry 6706 Polarity PNP

Features: • General-purpose transistor for switching and amplifier applicatons. • Housed in a TO-5 case. • Also available in chip form using the 6706 chip geometry. • The Min and Max limits shown are per MIL-PRF-19500/396 which Semicoa meets in all cases.

Semicoa

2N3763产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N3763

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT Small Signal

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-8-9 19:39:00
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