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2N3749晶体管资料

  • 2N3749别名：2N3749三极管、2N3749晶体管、2N3749晶体三极管

  • 2N3749生产厂家：SEM_美国固体电子公司_美国晶体管有限公司

  • 2N3749制作材料：Si-NPN

  • 2N3749性质：开关管 （S）_功率放大 （L）

  • 2N3749封装形式：特殊封装

  • 2N3749极限工作电压：100V

  • 2N3749最大电流允许值：5A

  • 2N3749最大工作频率：>40MHZ

  • 2N3749引脚数：3

  • 2N3749最大耗散功率：300W

  • 2N3749放大倍数：

  • 2N3749图片代号：F-28

  • 2N3749vtest：100

  • 2N3749htest：40000100

  • 2N3749atest：5

  • 2N3749wtest：300

  • 2N3749代换 2N3749用什么型号代替：BLX19,2N1724,2N5348,2N5349,2N5479,2N5480,3DA27A,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2N3749

PNP POWER SILICON TRANSISTOR

NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/315

MICROSEMI

美高森美

2N3749

NPN Transistor

This NPN silicon transistor is rated at 5 amps and is military qualified up to the JANTXV level.  This TO-111 isolated package features a 180 degree lead orientation.

MICROCHIP

微芯科技

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NPN POWER SILICON TRANSISTOR

文件：45.02 Kbytes Page：2 Pages

MICROSEMI

美高森美

2N3749

封装/外壳：TO-111-4，接线柱 包装：散装 描述：TRANS NPN 80V 5A TO111 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

MICROCHIP

微芯科技

2N3749

Trans GP BJT NPN 80V 5A 3-Pin TO-59

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

JAN2N3749

PNP POWER SILICON TRANSISTOR

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2N3749产品属性

  • 类型

    描述

  • Maximum Power Dissipation：

    2000mW

  • Maximum Operating Temperature：

    200°C

  • Maximum Emitter Base Voltage：

    8V

  • Maximum DC Collector Current：

    5A

  • Maximum Collector Emitter Voltage：

    80V

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：

    0.25@0.1A@1A1.5@0.5A@5A

  • Maximum Collector Base Voltage：

    110V

  • Material：

    Si

  • Configuration：

    Single

  • Category：

    Bipolar Power

2N3749供应商更多...

更新时间：2026-5-14 14:31:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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