2N3585晶体管资料

  • 2N3585别名:2N3585三极管、2N3585晶体管、2N3585晶体三极管

  • 2N3585生产厂家:美国无线电公司_美国硅晶体技术公司_美国得克萨斯仪

  • 2N3585制作材料:Si-NPN

  • 2N3585性质:开关管 (S)_功率放大 (L)

  • 2N3585封装形式:直插封装

  • 2N3585极限工作电压:500V

  • 2N3585最大电流允许值:2A

  • 2N3585最大工作频率:>10MHZ

  • 2N3585引脚数:3

  • 2N3585最大耗散功率:35W

  • 2N3585放大倍数

  • 2N3585图片代号:D-8

  • 2N3585vtest:500

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  • 2N3585atest:2

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2N3585价格

参考价格:¥48.6798

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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2N3585

POWER TRANSISTORS(35W)

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COMPLEMENTARY MEDIUM-POWER HIGH VOLTAGE POWER TRANSISTORS

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博卡

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NPN SILICON POWER TRANSISTORS.

NPN SILICON POWER TRANSISTORS. High voltage power transistors designed for industrial and military applications. TO-66 metal case. Compliance to RoHS.

COMSET

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NPN SILICON TRANSISTOR

DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3583 series devices are silicon NPN transistors designed for high speed switching and high voltage amplifier applications. MARKING: FULL PART NUMBER

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Power Transistors TO-66 Case

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SI NPN POWER BJT

Silicon NPN, PNP Power Transostors

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

2N3585

SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081

Silicon NPN, PNP Power Transostors

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

2N3585

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 300V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 25(Min)@ IC= 1A APPLICATIONS ·Designed for high-speed switching and linear amplifier application for high-voltage operational amplifiers, switching regulators, converters,deflection stages and

ISC

无锡固电

2N3585

包装:散装 描述:NPN POWER SILICON TRANSISTORS 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

Microchip

微芯科技

2N3585

GERMANIUM PNP TRANSISTORS

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ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

2N3585

NPN SILICON POWER TRANSISTORS.

文件:102.4 Kbytes Page:3 Pages

COMSET

2N3585

SILICON NPN TRANSISTORS

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Central

2N3585

Silicon NPN Power Transistors

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ISC

无锡固电

2N3585

Silicon NPN Power Transistors

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SAVANTIC

2N3585

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66

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SEME-LAB

Seme LAB

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Silicon NPN Power Transistors

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5 Amp, 500V, High Voltage NPN Silicon Power Transistors

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Microsemi

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NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

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Microsemi

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封装/外壳:TO-213AA,TO-66-2 包装:散装 描述:POWER BJT 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

Microchip

微芯科技

2N3585产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N3585

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN High Power

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-8-9 15:01:00
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