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2N3583晶体管资料
2N3583别名：2N3583三极管、2N3583晶体管、2N3583晶体三极管
2N3583生产厂家：美国无线电公司_美国硅晶体技术公司_美国得克萨斯仪
2N3583制作材料：Si-NPN
2N3583性质：开关管 （S）_功率放大 （L）
2N3583封装形式：直插封装
2N3583极限工作电压：250V
2N3583最大电流允许值：2A
2N3583最大工作频率：>10MHZ
2N3583引脚数：3
2N3583最大耗散功率：35W
2N3583放大倍数：
2N3583图片代号：D-8
2N3583vtest：250
2N3583htest：10000100
- 2N3583atest：2
2N3583wtest：35
2N3583代换 2N3583用什么型号代替：BUX84,BUY63,TIP63,TIP75(A),TIP75(B),TIP75(C),2SC3169,2N4240,3DK206E,40850,
2N3583价格
参考价格：￥48.6798
型号：2N3583 品牌：Central 备注：这里有2N3583多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2N3583批发/采购报价，2N3583行情走势销售排行榜，2N3583报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2N3583 | Power Transistors Power Transistors TO-66 Case | Central |   | |
2N3583 | NPN SILICON POWER TRANSISTORS. NPN SILICON POWER TRANSISTORS. High voltage power transistors designed for industrial and military applications. TO-66 metal case. Compliance to RoHS. | COMSET | | |
2N3583 | isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Contunuous Collector Current-IC= 1A • Power Dissipation-PD=35W @TC= 25℃ • Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 5.0 V(Max)@ IC = 1A APPLICATIONS • Designed for high-speed switching and linear amplifier application for high-voltage operational amplifiers, | ISC 无锡固电 | | |
2N3583 | NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3583 series devices are silicon NPN transistors designed for high speed switching and high voltage amplifier applications. MARKING: FULL PART NUMBER | Central | | |
2N3583 | POWER TRANSISTORS(35W)
| MOSPEC 统懋 | | |
2N3583 | COMPLEMENTARY MEDIUM-POWER HIGH VOLTAGE POWER TRANSISTORS
| boca 博卡 | | |
2N3583 | SI NPN POWER BJT Silicon NPN, PNP Power Transostors | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司 | | |
2N3583 | SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 Silicon NPN, PNP Power Transostors | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司 | | |
2N3583 | GERMANIUM PNP TRANSISTORS 文件：2.44311 Mbytes Page：6 Pages | ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商 | | |
2N3583 | 封装/外壳：TO-213AA，TO-66-2 包装：散装 描述：TRANS NPN 175V 0.01A TO66 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | Microchip 微芯科技 | | |
2N3583 | NPN SILICON POWER TRANSISTORS. 文件：102.4 Kbytes Page：3 Pages | COMSET | | |
2N3583 | 5 Amp, 250V, High Voltage NPN Silicon Power Transistors 文件：63.42 Kbytes Page：3 Pages | Microsemi 美高森美 | | |
2N3583 | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 文件：16.1 Kbytes Page：1 Pages | SEME-LAB Seme LAB | | |
2N3583 | SILICON NPN TRANSISTORS 文件：344.43 Kbytes Page：2 Pages | Central | | |
封装/外壳：TO-213AA，TO-66-2 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 175V 1A TO-66 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | Central | | ||
NPN SILICON POWER TRANSISTORS. 文件：102.4 Kbytes Page：3 Pages | COMSET | | ||
SILICON NPN TRANSISTORS 文件：344.43 Kbytes Page：2 Pages | Central | |
2N3583产品属性
- 类型
描述
- 型号
2N3583
- 功能描述
两极晶体管 - BJT NPN High Power
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SSI |
0352+ |
TO-3 |
46 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
MICROCHIP |
23+ |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
||||
RCA |
23+ |
NA |
715 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
MOT/RCA |
24+ |
TO-66 |
2830 |
||||
ON |
1738+ |
TO-92 |
8529 |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
|||
MOT |
23+ |
TO-66 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
MICROCHIP |
23+ |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
||||
MOTOROLA/摩托罗拉 |
20+ |
TO-66 |
67500 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
SSI |
24+ |
5000 |
原装现货,特价销售 |
||||
SSI |
21+ |
TO-3 |
46 |
原装现货假一赔十 |
2N3583规格书下载地址
2N3583参数引脚图相关
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- 2N3637
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2023-2-212N3773
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