2N3503晶体管资料

  • 2N3503别名:2N3503三极管、2N3503晶体管、2N3503晶体三极管

  • 2N3503生产厂家:美国国民半导体公司_德国电子元件股份公司_美国得克

  • 2N3503制作材料:Si-PNP

  • 2N3503性质:通用型 (Uni)_低噪放大 (ra)

  • 2N3503封装形式:直插封装

  • 2N3503极限工作电压:60V

  • 2N3503最大电流允许值:0.6A

  • 2N3503最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 2N3503引脚数:3

  • 2N3503最大耗散功率:0.7W

  • 2N3503放大倍数

  • 2N3503图片代号:C-40

  • 2N3503vtest:60

  • 2N3503htest:999900

  • 2N3503atest:0.6

  • 2N3503wtest:0.7

  • 2N3503代换 2N3503用什么型号代替:BC161,BC303,BC304,2SA717,2SA742,3CK9D,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2N3503

Small Signal Transistors

Small Signal Transistors TO-39 Case

CENTRAL

2N3503

Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches

文件:777.48 Kbytes Page:12 Pages

RAYTHEON

雷神

2N3503

SI PNP LP HF BJT MANUFACTURER

文件:104.62 Kbytes Page:1 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N3503

Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch

CENTRAL

2N3503

Trans GP BJT PNP 60V 3-Pin TO-39

ETC

知名厂家

2N3503

Bipolar Junction Transistors

TTELEC

2N3503

PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

文件:23 Kbytes Page:2 Pages

SEME-LAB

2N3503产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N3503

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT PNP Gen Pur SS

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2026-3-12 10:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
24+
CAN
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24+
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