2N3502晶体管资料

  • 2N3502别名:2N3502三极管、2N3502晶体管、2N3502晶体三极管

  • 2N3502生产厂家:美国国民半导体公司_德国电子元件股份公司_美国得克

  • 2N3502制作材料:Si-PNP

  • 2N3502性质:通用型 (Uni)_低噪放大 (ra)

  • 2N3502封装形式:直插封装

  • 2N3502极限工作电压:45V

  • 2N3502最大电流允许值:0.6A

  • 2N3502最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 2N3502引脚数:3

  • 2N3502最大耗散功率:0.7W

  • 2N3502放大倍数

  • 2N3502图片代号:C-40

  • 2N3502vtest:45

  • 2N3502htest:999900

  • 2N3502atest:0.6

  • 2N3502wtest:0.7

  • 2N3502代换 2N3502用什么型号代替:BC161,BC303,BC304,BSV16,BSV82,BSW23,BSW40,2N2905,2N3468,2SA717,3CK10E,

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2N3502

Small Signal Transistors

Small Signal Transistors TO-39 Case

Central

2N3502

Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches

文件:777.48 Kbytes Page:12 Pages

RAYTHEONRaytheon Company.

雷神

2N3502

SI PNP LP HF BJT MANUFARURER

文件:101.72 Kbytes Page:1 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

2N3502

PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

文件:23 Kbytes Page:2 Pages

SEME-LAB

Seme LAB

2N3502产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N3502

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT PNP Gen Pur SS

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-8-9 22:30:00
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