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位置：首页 > IC中文资料第375页 > 2N3501

2N3501晶体管资料

  • 2N3501(S)别名：2N3501(S)三极管、2N3501(S)晶体管、2N3501(S)晶体三极管

  • 2N3501(S)生产厂家：美国摩托罗拉半导体公司_美国国民半导体公司_美国晶

  • 2N3501(S)制作材料：Si-NPN

  • 2N3501(S)性质：通用型 （Uni）

  • 2N3501(S)封装形式：直插封装

  • 2N3501(S)极限工作电压：150V

  • 2N3501(S)最大电流允许值：0.3A

  • 2N3501(S)最大工作频率：>150MHZ

  • 2N3501(S)引脚数：3

  • 2N3501(S)最大耗散功率：1W

  • 2N3501(S)放大倍数：β>100

  • 2N3501(S)图片代号：C-78

  • 2N3501(S)vtest：150

  • 2N3501(S)htest：150000100

  • 2N3501(S)atest：0.3

  • 2N3501(S)wtest：1

  • 2N3501(S)代换 2N3501(S)用什么型号代替：BSS43,BSW68,2SC1860,

2N3501价格

参考价格：￥26.5756

型号：2N3501 品牌：Microsemi 备注：这里有2N3501多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2N3501批发/采购报价，2N3501行情走势销售排行榜，2N3501报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2N3501

NPN BIPOLAR TRANSISTOR

RADIATION HARDENED NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/366

Microsemi

美高森美

2N3501

GENERAL PURPOSE TRANSISTOR (NPN SILICON)

NPN SILICON GENERAL PURPOSE TRANSISTOR

boca

博卡

2N3501

Small Signal Transistors

Small Signal Transistors TO-39 Case

Central

2N3501

150 Volts 500mAmps TO-39 Package

150 Volts 500mAmps TO-39 Package Features •Meets MIL-S-19500/366 •Collector-Base Voltage 150V •Collector Current: 500 mA •Fast Switching 1265 nS • Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information)

MCC

2N3501

Chip Type 2C3501 Geometry 5620 Polarity NPN

Chip type 2C3501 by Semicoa Semiconductors provides performance similar to these devices. Product Summary: APPLICATIONS: Designed for switching and amplifier applications.

Semicoa

2N3501

NPN Transistor Bare Die

Features:  High Breakdown Voltage  Low VCE(sat)  Characterized at temperature extremes  High Reliability Gold Back Metal  High Reliability tested grades for Military + Space

SS

2N3501

封装/外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 150V 0.3A TO39 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

Microchip

微芯科技

2N3501

Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage

Central

2N3501

Trans GP BJT NPN 150V 3-Pin TO-39

NJS

2N3501

Bipolar Junction Transistors

TTELEC

2N3501

Silicon NPN Transistor

文件：110.63 Kbytes Page：2 Pages

Semicoa

2N3501

NPN SILICON TRANSISTOR

文件：25.64 Kbytes Page：3 Pages

SEME-LAB

Seme LAB

2N3501

NPN SILICON TRANSISTOR

文件：72.35 Kbytes Page：2 Pages

Central

2N3501

GENERAL PURPOSE TRANSISTOR

文件：132.32 Kbytes Page：1 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N3501

NPN SILICON PLANAR RF TRANSISTORS

文件：316.26 Kbytes Page：5 Pages

CDIL

2N3501

RADIATION HARDENED

文件：111.61 Kbytes Page：3 Pages

Microsemi

美高森美

2N3501

NPN SILICON TRANSISTOR

文件：69.36 Kbytes Page：2 Pages

Microsemi

美高森美

2N3501L

Chip Type 2C3501 Geometry 5620 Polarity NPN

Chip type 2C3501 by Semicoa Semiconductors provides performance similar to these devices. Product Summary: APPLICATIONS: Designed for switching and amplifier applications.

Semicoa

2N3501L

Type 2N3501L Geometry 5620 Polarity NPN

Chip type 2C3501 by Semicoa Semiconductors provides performance similar to these devices. Product Summary: APPLICATIONS: Designed for switching and amplifier applications.

Semicoa

2N3501UB

Silicon NPN Transistor

Description Semicoa Semiconductors offers: • Screening and processing per MIL-PRF-19500 AppendixE • JAN level (2N3501UBJ) • JANTX level (2N3501UBJX) • JANTXV level (2N3501UBJV) • JANS level (2N3501UBJS) • QCI to the applicable level • 100 die visual inspection per MI

Semicoa

2N3501_04

Silicon NPN Transistor

文件：110.63 Kbytes Page：2 Pages

Semicoa

2N3501CSM4

HIGH VOLTAGE, MEDIUM POWER, NPN TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS

文件：17.89 Kbytes Page：3 Pages

SEME-LAB

Seme LAB

2N3501DCSM

DUAL BIPOLAR NPN DEVICES

文件：27.19 Kbytes Page：2 Pages

SEME-LAB

Seme LAB

2N3501E3

封装/外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐 包装：卷带（TR） 描述：TRANS NPN 150V 0.3A TO39 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

Microchip

微芯科技

2N3501L

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO5

文件：15.25 Kbytes Page：1 Pages

SEME-LAB

Seme LAB

2N3501L

NPN SILICON TRANSISTOR

文件：69.36 Kbytes Page：2 Pages

Microsemi

美高森美

2N3501L

RADIATION HARDENED

文件：111.61 Kbytes Page：3 Pages

Microsemi

美高森美

2N3501UB

RADIATION HARDENED

文件：111.61 Kbytes Page：3 Pages

Microsemi

美高森美

2N3501产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N3501

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur SS

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

2N3501供应商更多...

更新时间：2025-9-26 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
2N3501
SSI
24+
NA/
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原装现货,当天可交货,原型号开票
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中天科工半导体（深圳）有限公司
2N3501
MOTOROLA/摩托罗拉
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CAN3
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深圳市威雅利发展有限公司
2N3501
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CAN
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深圳市力拓辉电子有限公司
2N3501
SSI
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TO-39 CAN
5000
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深圳市科恒伟业电子有限公司
2N3501
SSI
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CAN
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深圳市美思瑞电子科技有限公司
2N3501
MOTOROLA/摩托罗拉
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CAN
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深圳市汇莱威科技有限公司
2N3501
SSI
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CAN
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16余年资质 绝对原盒原盘代理渠道 更多数量
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千层芯半导体(深圳)有限公司
2N3501
SSI
24+
CAN
18700
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深圳市一线半导体有限公司
2N3501
24+
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深圳市赛特兴科技有限公司
2N3501
MOTOROLA/摩托罗拉
QQ咨询
CAN
1023
全新原装 研究所指定供货商
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