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2N311晶体管资料

  • 2N311别名：2N311三极管、2N311晶体管、2N311晶体三极管

  • 2N311生产厂家：CSR_美国电子晶体管公司

  • 2N311制作材料：Ge-PNP

  • 2N311性质：开关管 （S）

  • 2N311封装形式：直插封装

  • 2N311极限工作电压：15V

  • 2N311最大电流允许值：

  • 2N311最大工作频率：<1MHZ或未知

  • 2N311引脚数：3

  • 2N311最大耗散功率：0.075W

  • 2N311放大倍数：

  • 2N311图片代号：D-9

  • 2N311vtest：15

  • 2N311htest：999900

  • 2N311atest：0

  • 2N311wtest：0.075

  • 2N311代换 2N311用什么型号代替：ASY26,ASY27,ASY76,ASY77,2N1305,3AG95A,

2N311价格

参考价格：￥19.2827

型号：2N3117 品牌：Centralr 备注：这里有2N311多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2N311批发/采购报价，2N311行情走势销售排行榜，2N311报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2N3110

Small Signal Transistors

Small Signal Transistors TO-39 Case (Continued)

CENTRAL

2N3110

NPN SILICON AF MEDIUM POWER AMPLIFIERS & SWITCHES

NPN SILICON AF MEDIUM POWER AMPLIFIERS & SWITCHES THE 2N3107 THROUGH 2N3110 ARE NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS FOR AF MEDIUM POWER DRIVERS AND OUPUTS, AS WELL AS FOR SWITCHING APPLICATIONS UP TO 1 AMPERE. THEY ARE COMPLEMENTARY TO THE PNP 2N4032, 2N4030.

MICRO-ELECTRONICS

2N3110

GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS AND SWITCHES

GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS AND SWITCHES The 2N3108 and 2N3110 are NPN transistors mounted in TO-39 metal package. Thev are intended for large signal, low noise industrial applications.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N3110

GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS AND SWITCHES

GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS AND SWITCHES The 2N3108 and 2N3110 are NPN transistors mounted in TO-39 metal package. They are intended for large signal, low noise industrial applications. Compliance to RoHS.

COMSET

2N3114

Small Signal Transistors

Small Signal Transistors TO-39 Case (Continued)

CENTRAL

2N3114

NPN SILICON TRANSISTOR

DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3114 is a NPN Silicon Transistor, mounted in a hermetically sealed package, designed for general purpose amplifier applications. MARKING: FULL PART NUMBER

CENTRAL

2N3114CSM

SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed LCC1 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability Applications Bipolar NPN Device. VCEO = 150V IC = 0.1A

TTELEC

2N3115

Small Signal Transistors

DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3011 is a silicon epitaxial planar NPN transistor designed for ultra high speed saturated switching applications. MARKING: FULL PART NUMBER

CENTRAL

2N3116

Small Signal Transistors

DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3011 is a silicon epitaxial planar NPN transistor designed for ultra high speed saturated switching applications. MARKING: FULL PART NUMBER

CENTRAL

2N3117

Small Signal Transistors

DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3011 is a silicon epitaxial planar NPN transistor designed for ultra high speed saturated switching applications. MARKING: FULL PART NUMBER

CENTRAL

2N3117

SI NPN LO-PWR BJT MANUFACTURER

Description: Si NPN Lo-Pwr BJT

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N3119

Small Signal Transistors

Small Signal Transistors TO-39 Case (Continued)

CENTRAL

2N3110

General Purpose Transistors

文件：121.76 Kbytes Page：1 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

2N3110

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39

文件：16.16 Kbytes Page：1 Pages

SEME-LAB

2N3114

Trans GP BJT NPN 150V 3-Pin TO-39 Box

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N3114_15

NPN SILICON TRANSISTOR

文件：495.47 Kbytes Page：2 Pages

CENTRAL

2N3114CSM

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed LCC1 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability Applications

文件：10.64 Kbytes Page：1 Pages

SEME-LAB

2N3114CSM

Bipolar Junction Transistors

TTELEC

2N3114CSM

SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR

文件：163.52 Kbytes Page：3 Pages

SEME-LAB

2N3114CSM_09

SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR

文件：163.52 Kbytes Page：3 Pages

SEME-LAB

2N3115

Trans GP BJT NPN 20V 3-Pin TO-18 Box

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N3117 PBFREE

封装/外壳：TO-206AA，TO-18-3 金属罐 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 60V 0.05A TO18 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

CENTRAL

2N3117_15

NPN SILICON TRANSISTOR

文件：538.75 Kbytes Page：2 Pages

CENTRAL

2N3118

GERMANIUM PNP TRANSISTORS

文件：2.44311 Mbytes Page：6 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

2N3119

GERMANIUM PNP TRANSISTORS

文件：2.44311 Mbytes Page：6 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

2N3119

SI NPN POWER HF BJI MANUFACTURER

文件：97.83 Kbytes Page：1 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N311产品属性

  • 类型

    描述

  • Maximum Transition Frequency：

    40(Min)MHz

  • Maximum Emitter Base Voltage：

    5V

  • Maximum Collector Emitter Voltage：

    150V

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：

    1@50mAV

  • Maximum Collector Base Voltage：

    150V

  • Configuration：

    Single

  • Category：

    Bipolar Small Signal

2N311供应商更多...

更新时间：2026-5-13 19:56:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
中天科工半导体（深圳）有限公司
2N3114S
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2N3114
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2N3114S
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2N3114
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2N3114
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深圳市一线半导体有限公司
2N3114
MICRO
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深圳市赛特兴科技有限公司
2N3114S
ST
23+
CAN to-39
16900
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司
2N3114S
ST/MOTO
23+
CAN to-39
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原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
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深圳市向鸿伟业电子有限公司
2N3114
MOTOROLA/摩托罗拉
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