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2N3114中文资料

厂家型号

2N3114

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495.47Kbytes

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2

功能描述

NPN SILICON TRANSISTOR

两极晶体管 - BJT NPN High Volt

数据手册

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生产厂商

CENTRAL

2N3114数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3114 is a NPN Silicon Transistor, mounted in a hermetically sealed package, designed for general purpose amplifier applications.

MARKING: FULL PART NUMBER

2N3114产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N3114

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN High Volt

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2026-1-28 11:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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现货库存
MOTOROLA/摩托罗拉
专业铁帽
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原装铁帽专营,代理渠道量大可订货

2N3114 晶体管资料

  • 2N3114(S)别名:2N3114(S)三极管、2N3114(S)晶体管、2N3114(S)晶体三极管

  • 2N3114(S)生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司_德国电子元件股份公司_美国

  • 2N3114(S)制作材料:Si-NPN

  • 2N3114(S)性质:视频输出 (Vid)

  • 2N3114(S)封装形式:直插封装

  • 2N3114(S)极限工作电压:80V

  • 2N3114(S)最大电流允许值:1A

  • 2N3114(S)最大工作频率:>70MHZ

  • 2N3114(S)引脚数:3

  • 2N3114(S)最大耗散功率:0.8W

  • 2N3114(S)放大倍数:β>40

  • 2N3114(S)图片代号:C-40

  • 2N3114(S)vtest:80

  • 2N3114(S)htest:70000100

  • 2N3114(S)atest:1

  • 2N3114(S)wtest:0.8

  • 2N3114(S)代换 2N3114(S)用什么型号代替:BF257,BF258,BF259,BF336,BF657,BF658,BF659,BFR57,BFR58,BFR59,BFT47,2N5059,3DG181D,