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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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2ED2103S06F | 650 V half bridge gate driver with integrated bootstrap diode Features • Unique Infineon Thin-Film-Silicon On Insulator (SOI)-technology • Negative VS transient immunity of -100 V • Floating channel designed for bootstrap operation • Operating voltages (VS node) upto + 650 V • Maximum bootstrap voltage (VB node) of + 675 V • Integrated ultra-fast, low | Infineon 英飞凌 |   | |
2ED2103S06F | 650 V half bridge gate driver with integrated bootstrap diode 文件：1.15713 Mbytes Page：25 Pages | Infineon 英飞凌 | | |
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：LEVEL SHIFT SOI 集成电路（IC） 栅极驱动器 | Infineon 英飞凌 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
SOP-8 |
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百分百原装正品,可原型号开票 |
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Infineon(英飞凌) |
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Infineon/英飞凌 |
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Infineon/英飞凌 |
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Infineon/英飞凌 |
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INFINEON |
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Infineon(英飞凌) |
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技术信息/TechnicalInformation 2A400HB12C2F IGBT-模块 IGBT-Module
2020-9-3
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