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LOW VCE(SAT) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Features • Epitaxial Planar Die Construction • Low Collector-Emitter Saturation Resistance RCE(SAT) = 75mΩ at 4A • Complementary PNP Type Available (2DB1386) • Ideally Suited for Automated Assembly Processes • Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications • Lead Free By Desi

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美台半导体

更新时间:2026-5-24 20:00:01
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