| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
RF Power Field Effect Transistor 880 MHz, 10 W AVG., 28 V SINGLE N-CDMA LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies up to 1000 MHz. The high gain and broadband performance of this device makes it ideal for large-signal, common-source amplifier applica | FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 |   | ||
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