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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

RF Power Field Effect Transistor

880 MHz, 10 W AVG., 28 V SINGLE N-CDMA LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies up to 1000 MHz. The high gain and broadband performance of this device makes it ideal for large-signal, common-source amplifier applica

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

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43 SM BEAD

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FAIR-RITE

Chip Beads - Wire-wound

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CT

Central Technologies

2743019447L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2743019447L

  • 功能描述

    电磁干扰滤波珠子、扼流圈和阵列 Z=47OHM @ 100MHz RHS 623-2743019447LF

  • RoHS

  • 制造商

    AVX

  • 最大直流电流

    35 mA

  • 端接类型

    SMD/SMT

  • 电压额定值

    25 V

  • 工作温度范围

    - 25 C to + 85 C

  • 封装/箱体

    0603(1608 metric)

更新时间:2026-8-2 17:30:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
212020
*
3077
FAIR-RITE
24+
DO-214
13900
新进库存/原装
Ferrite
25+
1500
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FAIRCHILD/仙童
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Jul-24
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