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BSC265N10LSFG	OptiMOS?? Power-Transistor Features • N-channel, logic level • Very low gate charge x R DS(on) product (FOM) • Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification • Low on-resistance RDS(on) • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application • 150 °C operating	Infineon 英飞凌	Infineon

265N10LSFG供应商更多...

更新时间：2025-12-25 13:00:01

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27110B103JO0高压传输云母电容器
云母电容器采用坚固的固态铸造封装，可提供高抗冲击和振动能力
2022-10-18
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2021-10-27
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2019-11-6