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VN2460	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs Advanced DMOS Technology These low threshold enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high	SUTEX	SUTEX
VN2460NW	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs Advanced DMOS Technology These low threshold enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high	SUTEX	SUTEX
TLV2460AID	FAMILY OF LOW-POWER RAIL-TO-RAIL INPUT/OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN 文件：1.35418 Mbytes Page：54 Pages	TI 德州仪器	TI
TLV2460AMJGB	FAMILY OF LOW-POWER RAIL-TO-RAIL INPUT/OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN 文件：1.35418 Mbytes Page：54 Pages	TI 德州仪器	TI
TLV2460AQDR	FAMILY OF LOW-POWER RAIL-TO-RAIL INPUT/OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN 文件：1.35418 Mbytes Page：54 Pages	TI 德州仪器	TI

2460X供应商更多...

更新时间：2026-8-3 13:31:01

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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2479973-2电缆组件
TE Connectivity 电缆组件针对 12G-SDI 广播视频解决方案进行了优化
2025-1-13
2444029-1传感器
TE 的运动传感器设计紧凑，有助保持现代灯具的美观外型
2024-4-23
2447 11.8"（300.00mm）接线夹，绝缘至插口，方形，0.100"（2.54mm）测试引线 4 引线，黑色和红色
2447
2023-2-20
2-487406-4
2-487406-4
2022-9-8
2446444
焊料 LOCTITE GC 10 SAC305T5 885V 68M焊料 LOCTITE GC 10 SAC305T5 885V 68M焊料 LOCTITE GC 10 SAC305T5 885V 68M
2020-12-23
24AA01T-I/OT存储器
主要参数：集成电路（IC）存储器存储容量： 1Kb （128 x 8）存储器接口： I2C 时钟频率： 400kHz 电压 - 电源： 1.7V ~ 5.5V 工作温度： -40°C ~ 85°C（TA）安装类型：表面贴装型封装： SC-74A，SOT-753
2020-2-27