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21NM60

21A, 600V   N-CHANNEL  SUPER-JUNCTION MOSFET

UTC

友顺

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 17A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.22Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-channel 600 V - 0.17 廓 - 17 A TO-220 - TO-220FP - D2PAK - I2PAK - TO-247 second generation MDmesh??Power MOSFET

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

Low input capacitance and gate charge

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-CHANNEL 600V - 0.19 Ohm - 17 A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET

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意法半导体

N-channel 600 V - 0.17 廓 - 17 A TO-220 - TO-220FP - D2PAK - I2PAK - TO-247 second generation MDmesh??Power MOSFET

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更新时间:2025-12-25 13:36:00
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