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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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Integrated Circuit NMOS, 1K Static RAM (SRAM), 350ns Description: The NTE2101 is a high–speed 1024 x 1 bit static random access read/write memory in a 16–Lead DIP type package designed using N–Channel depletion mode silicon gate technology. Static storage cells eliminate the need for clock or refresh circuitry. Low threshold silicon gate N–Cha | NTE |   | ||
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2102LPST产品属性
- 类型
描述
- 型号
2102LPST
- 制造商
CTS Corporation
- 功能描述
SWIT DIP SPST 2 FLUSH 0.1A 20VDC PC PINS 2.54MM TH - Rail/Tube
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2022-8-1120TQC8R2M 深圳市得捷芯城电子科技 AVX KEMET 尼康 三洋 钽电容代理商
20TQC8R2M 深圳市得捷芯城电子科技 AVX KEMET 尼康 三洋 钽电容代理商
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