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DIODE (LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING)

Low Voltage High Speed Switching • Low forward voltage : VF (3) = 0.54V (typ.) • Low reverse surrent : IR = 5μA (max) • Small package : SC−59

TOSHIBA

东芝

SILICON EPITAXIAL PLANAR SCHOTTKY BARRIER DIODE

Features • Small surface mounting type • Low reverse current • Low forward voltage

SEMTECH_ELEC

先之科半导体

LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING

Features • Small package • Low forward voltage: VF(3) = 0.54 V(Typ). • Low reverse current: IR = 5 A(Max).

KEXIN

科信电子

Low Voltage High Speed Switching

Low Voltage High Speed Switching • Low forward voltage : VF (3) = 0.54V (typ.) • Low reverse surrent : IR = 5μA (max) • Small package : SC−59

TOSHIBA

东芝

Low Voltage High Speed Switching

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TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-12-30 18:37:01
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