| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
1S2075 | Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching Features • Low capacitance. (C = 3.5 pF max) • Short reverse recovery time. (trr = 8.0 ns max) • High reliability with glass seal. | HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司 |   | |
1S2075 | 35V Detection switch tube 文件：309.16 Kbytes Page：2 Pages | | ||
1S2075 | SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE 文件：309.16 Kbytes Page：2 Pages | | ||
1S2075 | Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching | RENESAS 瑞萨 | | |
1S2075 | Axial General rectifier diodes | SUNMATE 森美特 | | |
1S2075 | Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching 文件：144.36 Kbytes Page：5 Pages | RENESAS 瑞萨 | | |
Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching Features • Low capacitance. (C = 3.5 pF max) • Short reverse recovery time. (trr = 8.0 ns max) • High reliability with glass seal. | HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司 | | ||
Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching 文件：144.36 Kbytes Page：5 Pages | RENESAS 瑞萨 | | ||
Diode Small Signal Switching 35V 0.1A 2-Pin DO-35 | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | |
1S2075产品属性
- 类型
描述
- VRRM(V)：
35
- VR(V)：
30
- IFSM(A)：
0.6
- VF(V)：
0.8
- IR (μA)：
0.1
- TRR(NS)：
8.0
- PACKAGE：
DO-35
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HITACHI/日立 |
2026+ |
DO-35 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
|||
RENESAS |
25+ |
324 |
公司现货库存 |
||||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
53232 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
||||
TOSHIBA |
24+ |
10000 |
|||||
RENESAS |
26+ |
DO-35 |
360000 |
进口原装现货 |
|||
RENESAS |
24+ |
DO-35 |
16900 |
原装正品现货支持实单 |
|||
HITACH |
18+ |
DO-35 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
|||
RENESAS |
25+ |
DO-35 |
8800 |
公司只做原装,详情请咨询 |
|||
RENESAS |
25+ |
DO-35 |
20000 |
原装 |
|||
RENESAS |
23+ |
DO-35 |
2500 |
全新原装正品现货,支持订货 |
1S2075规格书下载地址
1S2075参数引脚图相关
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