型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

SiliconEpitaxialPlanarType

ULTRAHIGHSPEEDSWITCHINGAPPLICATIONS. FEATURES: •LowForwardVoltage:Vf=1.0V(Max.) •SmallTotalCapacitance:Ct=2pF(Max.) •FastReverseRecoveryTime:Trr=2ns(Max.)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

HIGHSPEEDSWITCHINGDIODE

FEATURES: •Highswitchingspeed:max.4ns •Continuousreversevoltage:max.30V •Repetitivepeakreversevoltage:max.35V •Pb/RoHSFree

EIC

EIC

EIC

HIGHSPEEDSWITCHINGDIODES

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SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半导体股份有限公司

PDF上传者:深圳市福田区吉富昌电子商行

SUNMATE

0.5AAxialLeadedHighSpeedSwitchingDiode

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SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半导体股份有限公司

SUNMATE

HIGHSPEEDSWITCHINGDIODE

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SYNSEMI

SynSemi,Inc.

SYNSEMI
更新时间:2024-5-11 18:51:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
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