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GaAs INFRARED EMITTING DIODE

DESCRIPTION • The 1N6265 is a 940 nm LED in a narrow angle, TO-46 package. FEATURES • Good optical to mechanical alignment • Mechanically and wavelength matched to the TO-18 series phototransistor • Hermetically sealed package • High irradiance level • (*) Indicates JEDEC registered values

Fairchild

仙童半导体

GAAS INFRARED EMITTING DIODE

文件:231.89 Kbytes Page:3 Pages

QT

1N6265_Q产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    1N6265_Q

  • 功能描述

    红外发射源 6mW 1.7V IR LED

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 波长

    880 nm

  • 射束角

    +/- 25

  • 最大工作温度

    + 100 C

  • 最小工作温度

    - 40 C

  • 封装/箱体

    Side Looker

  • 封装

    Bulk

更新时间:2025-10-30 23:00:02
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