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位置：首页 > IC中文资料第2434页 > 1N5914B

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
1N5914B

Axial-Leaded1.5WattZenerDiodes

DESCRIPTION The1N5913BG-5956BGseriesof1.5wattZenersprovidesvoltageregulationinaselectionfrom3.3to200voltswithavarietyoftolerancesavailable.Theyarealsoavailableinvariousmilitaryequivalentscreeninglevelsforhighreliability.TheseglassencapsulatedZenerswithaG

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
1N5914B

Axial-Leaded1.5WattZenerDiodes

DESCRIPTION The1N5913-5956Bseriesof1.5wattZenersprovidesvoltageregulationinaselectionfrom3.3to200voltswithdifferenttolerancesasidentifiedbysuffixletteronthepart.TheseplasticencapsulatedZenershavemoistureclassificationofLevel1withnodrypackrequired.Theya

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
1N5914B

GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODES

VOLTAGE3.3to200VoltsPOWER1.5Watts FEATURES •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Lowinductance •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O •Pbfreeproductareavailable:99SncanmeetRoHSenvironmentsubstancedirectiverequest

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

PANJIT
1N5914B

1.5WattZENERDIODES(3.3Vto200V)

Features ■5&10VOLTAGETOLERANCESAVAILABLE ■WIDEVOLTAGERANGE ■MEETSULSPECIFICATION94V-0

FCIFirst Components International

戈采戈采企业股份有限公司

FCI
1N5914B

3WSILICONZENERDIODES

3WSILICONZENERDIODES

SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD.

先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司

SEMTECH_ELEC
1N5914B

SILICONZENERDIODES

FEATURES: *CompleteVoltageRange3.3to200Volts *Highpeakreversepowerdissipation *Highreliability *Lowleakagecurrent

EIC

EIC discrete Semiconductors

EIC
1N5914B

SILICONZENERDIODE1.5WATT,3.3THRU200VOLTS

DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR1N5913BseriessiliconZenerdiodeisahighqualityvoltageregulatordesignedforuseinautomotive,industrial,commercial,entertainmentandcomputerapplications.

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central
1N5914B

1.5WSILICONZENERDIODE

VOLTAGERANGE3.3to200Volts FEATURES *Zenervoltage3.3Vto200V *Withstandslargesurgestresses

JGDJinan Gude Electronic Device

济南固锝电子济南固锝电子器件有限公司

JGD
1N5914B

SILICON1.5WATTZENERDIODES

DESCRIPTION The1N5913-5956Bseriesof1.5wattZenersprovidesvoltageregulationinaselectionfrom3.3to200voltswithdifferenttolerancesasidentifiedbysuffixletteronthepart.TheseplasticencapsulatedZenershavemoistureclassificationofLevel1withnodrypackrequired.Theya

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
1N5914B

1.5WZenerDiodes

Features •LowProfilePackage •1.5WPowerDissipation •Built-inStrainRelief •LowInductance •HighStability •ZenerVoltagefrom3.3Vto56V •RoHSCompliant

TAITRON

TAITRON Components Incorporated

TAITRON
1N5914B

SILICONZENERDIODES

FEATURES: *CompleteVoltageRange3.3to200Volts *Highpeakreversepowerdissipation *Highreliability *Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree

FORMOSAFormosa MS

美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司

FORMOSA
1N5914B

ZenerDiode

■Feature ●Pt1.5W ●Vz3.3V-240V Notes: 1.ZenerTolerance:±5. 2.Thezenerimpedanceisderivedfromthe60-cycleacvoltage,whichresultswhenanaccurrenthavinganrmsvalueequalto10ofthedczenercurrent(IZTorIZK)issuperimposedtoIZTorIZK.。 3.Themaxzenercurrent

YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd

扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司

YANGJIE
1N5914B

DO-13PACKAGE-GLASSTOMETALHERMETICALLYSEALED

Axial-Leaded1.5Wattdiodes

AMMSEMIAmerican Microsemiconductor

美国微半导体有限公司

AMMSEMI
1N5914B

1.5WattsAxialLeadedZenerDiodes

Features ●CompleteVoltageRange3.3to200Volts ●Highreliability ●Highpeakreversepowerdissipation ●Lowleakagecurrent

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半导体股份有限公司

SUNMATE
1N5914B

ZenerDiodes1N59Series

FEATURES ●Ptot1.5W ●Vz3.3V-240V

RFERFE international

RFE国际公司RFE国际股份有限公司

RFE
1N5914B

1.5WZENERDIODE

GlassPassivatedDieConstruction 1.5WPowerDissipation 3.3V–200VNominalZenerVoltage 5StandardVzTolerance LowInductance ForUseinVoltageRegulatororReference PlasticCaseMaterialhasULFlammability ClassificationRating94V-0 MechanicalData

WTEWon-Top Electronics

毅星電子毅星电子股份有限公司

WTE
1N5914B

ZENERDIODES

文件：53.8 Kbytes Page：1 Pages

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central
1N5914B

包装：散装 描述：DIODE ZENER 分立半导体产品 二极管 - 齐纳 - 单

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

Microchip
1N5914B

Axial-Leaded1.5Wattdiodes

文件：208.4 Kbytes Page：1 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
1N5914

ZENERDIODES

FEATURES: *CompleteVoltageRange3.3to200Volts *Highpeakreversepowerdissipation *Highreliability *Lowleakagecurrent

TAYCHIPSTShenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd

泰迪斯电子深圳市泰迪斯电子科技有限公司

TAYCHIPST
1N5914

ZENERDIODES

FEATURES: *CompleteVoltageRange3.3to240Volts *Highpeakreversepowerdissipation *Highreliability *Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree

SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd.

顺烨电子江苏顺烨电子有限公司

SY
1N5914

SILICON1.5WATTZENERDIODES

DESCRIPTION The1N5913-5956Bseriesof1.5wattZenersprovidesvoltageregulationinaselectionfrom3.3to200voltswithdifferenttolerancesasidentifiedbysuffixletteronthepart.TheseplasticencapsulatedZenershavemoistureclassificationofLevel1withnodrypackrequired.Theya

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
1N5914

SILICON1.5WATTZENERDIODES

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
1N5914

ZENERDIODES

文件：2.01679 Mbytes Page：14 Pages

ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd

淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司

ZSELEC
1N5914BG

Axial-Leaded1.5WattZenerDiodes

DESCRIPTION The1N5913BG-5956BGseriesof1.5wattZenersprovidesvoltageregulationinaselectionfrom3.3to200voltswithavarietyoftolerancesavailable.Theyarealsoavailableinvariousmilitaryequivalentscreeninglevelsforhighreliability.TheseglassencapsulatedZenerswithaG

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
1N5914BP

Axial-Leaded1.5WattZenerDiodes

DESCRIPTION The1N5913-5956Bseriesof1.5wattZenersprovidesvoltageregulationinaselectionfrom3.3to200voltswithdifferenttolerancesasidentifiedbysuffixletteronthepart.TheseplasticencapsulatedZenershavemoistureclassificationofLevel1withnodrypackrequired.Theya

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
1N5914BE3/TR13

封装/外壳：DO-204AL，DO-41，轴向 包装：卷带（TR） 描述：DIODE ZENER 3.6V 1.5W DO204AL 分立半导体产品 二极管 - 齐纳 - 单

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
1N5914BUR-1

METALLURGICALLYBONDEDGLASSSURFACEMOUNT1.5WATTZENERS

文件：191.98 Kbytes Page：3 Pages

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi

1N5914B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    1N5914B

  • 制造商

    ONS

  • 功能描述

    ON SEMICONDUCTOR S7E7B

1N5914B供应商更多...

更新时间：2025-8-1 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
1N5914B/TR
MICROCHIP(美国微芯)
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