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1N583价格

参考价格：￥63.8149

型号：1N5834R 品牌：GeneSiC 备注：这里有1N583多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，1N583批发/采购报价，1N583行情走势销售排行榜，1N583报价。

型号	功能描述	生产厂家&企业
1N5830	25AmpSchottkyBarrierRectifier20to35Volts Features •Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton •Guardringfortransientprotection •Lowpowerlosshighefficiency •Highsurgecapacity,Highcurrentcapability	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司
1N5830	25AmpSchottkyRectifier 25AmpSchottkyRectifiers ●SchottkyBarrierRectifier ●Guardringprotection ●Lowforwardvoltagedrop ●25Amperes ●125°CJunctionTemperature ●VRRM20to40volts	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
1N5830	SCHOTTKYDIODESSTUDTYPE25A Features HighSurgeCapability Typesupto40VVRRM	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司
1N5830	SchottkyPowerDiode,25A Features •FastSwitching •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecapability •Highefficiency,lowpowerloss •NormalandReversepolarity	NAINA Naina Semiconductor ltd.
1N5830	25AMPSCHOTTKYRECTIFIERS 25AMPSCHOTTKYRECTIFIERS AvailableNon-RoHS(standard)orRoHScompliant(addPBFsuffix). Availableas“HR”(highreliability)screenedperMIL-PRF-19500,JANTXlevel.Add“HR”suffixtobasepartnumber.	DIGITRON Digitron Semiconductors
1N5830R	SchottkyPowerDiode,25A Features •FastSwitching •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecapability •Highefficiency,lowpowerloss •NormalandReversepolarity	NAINA Naina Semiconductor ltd.
1N5830R	SCHOTTKYDIODESSTUDTYPE25A Features HighSurgeCapability Typesupto40VVRRM	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司
1N5831	SCHOTTKYDIODESSTUDTYPE25A Features HighSurgeCapability Typesupto40VVRRM	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司
1N5831	25AmpSchottkyRectifier 25AmpSchottkyRectifiers ●SchottkyBarrierRectifier ●Guardringprotection ●Lowforwardvoltagedrop ●25Amperes ●125°CJunctionTemperature ●VRRM20to40volts	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
1N5831	SCHOTTKYRECTIFIER Features •FastSwitching •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecapability •Highefficiency,lowpowerloss •NormalandReversepolarity	NAINA Naina Semiconductor ltd.
1N5831	25AmpSchottkyBarrierRectifier20to35Volts Features •Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton •Guardringfortransientprotection •Lowpowerlosshighefficiency •Highsurgecapacity,Highcurrentcapability	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司
1N5831	SchottkyPowerDiode,25A Features •FastSwitching •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecapability •Highefficiency,lowpowerloss •NormalandReversepolarity	NAINA Naina Semiconductor ltd.
1N5831	25AMPSCHOTTKYRECTIFIERS 25AMPSCHOTTKYRECTIFIERS AvailableNon-RoHS(standard)orRoHScompliant(addPBFsuffix). Availableas“HR”(highreliability)screenedperMIL-PRF-19500,JANTXlevel.Add“HR”suffixtobasepartnumber.	DIGITRON Digitron Semiconductors
1N5831R	SchottkyPowerDiode,25A Features •FastSwitching •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecapability •Highefficiency,lowpowerloss •NormalandReversepolarity	NAINA Naina Semiconductor ltd.
1N5831R	SCHOTTKYDIODESSTUDTYPE25A Features HighSurgeCapability Typesupto40VVRRM	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司
1N5831R	NotESDSensitive Features •HighSurgeCapability •Typesupto40VVRRM •NotESDSensitive	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.
1N5832	SCHOTTKYRECTIFIER Features •FastSwitching •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecapability •Highefficiency,lowpowerloss •NormalandReversepolarity	NAINA Naina Semiconductor ltd.
1N5832	40AmpSchottkyRectifier 40AmpSchottkyRectifier •SchottkyBarrierRectifier •GuardRingProtection •LowForwardVoltage •40Amperes •125°CJunctionTemperature •VRRM20to40Volts	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
1N5832	SCHOTTKYDIODESSTUDTYPE40A Features HighSurgeCapability Typesup40VtoVRRM	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司
1N5832	40AMPSCHOTTKYRECTIFIER 40AMPSCHOTTKYRECTIFIER	DIGITRON Digitron Semiconductors
1N5832	NotESDSensitive Features •HighSurgeCapability •Typesfrom20Vto40VVRRM •NotESDSensitive	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.
1N5832R	SCHOTTKYDIODESSTUDTYPE40A Features HighSurgeCapability Typesup40VtoVRRM	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司
1N5833	SCHOTTKYDIODESSTUDTYPE40A Features HighSurgeCapability Typesup40VtoVRRM	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司
1N5833	40AmpSchottkyRectifier 40AmpSchottkyRectifier •SchottkyBarrierRectifier •GuardRingProtection •LowForwardVoltage •40Amperes •125°CJunctionTemperature •VRRM20to40Volts	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
1N5833	40AMPSCHOTTKYRECTIFIER 40AMPSCHOTTKYRECTIFIER	DIGITRON Digitron Semiconductors
1N5833R	SCHOTTKYDIODESSTUDTYPE40A Features HighSurgeCapability Typesup40VtoVRRM	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司
1N5834	SCHOTTKYDIODESSTUDTYPE40A Features HighSurgeCapability Typesup40VtoVRRM	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司
1N5834	40AmpSchottkyRectifier 40AmpSchottkyRectifier •SchottkyBarrierRectifier •GuardRingProtection •LowForwardVoltage •40Amperes •125°CJunctionTemperature •VRRM20to40Volts	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
1N5834	40AMPSCHOTTKYRECTIFIER 40AMPSCHOTTKYRECTIFIER	DIGITRON Digitron Semiconductors
1N5834R	SCHOTTKYDIODESSTUDTYPE40A Features HighSurgeCapability Typesup40VtoVRRM	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司
1N5834R	NotESDSensitive Features •HighSurgeCapability •Typesfrom20Vto40VVRRM •NotESDSensitive	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.
1N5830	SiliconPowerSchottkyDiode 文件：772.05 Kbytes Page：3 Pages	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.
1N5830	封装/外壳：DO-203AA，DO-4，接线柱包装：散装描述：5A SCHOTTKY RECTIFIER 分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司
1N5830R	封装/外壳：DO-203AA，DO-4，接线柱包装：卷带（TR）描述：DIODE SCHOTTKY REV 25V DO4 分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.
1N5830R	SiliconPowerSchottkyDiode 文件：772.05 Kbytes Page：3 Pages	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.
1N5831	SiliconPowerSchottkyDiode 文件：772.05 Kbytes Page：3 Pages	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.
1N5831	SchottkyBarrierRectifierDiode 文件：99.89 Kbytes Page：2 Pages	NAINA Naina Semiconductor ltd.
1N5831_1	SchottkyBarrierRectifierDiode 文件：99.89 Kbytes Page：2 Pages	NAINA Naina Semiconductor ltd.
1N5831R	SiliconPowerSchottkyDiode 文件：772.05 Kbytes Page：3 Pages	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.
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1N5832	SchottkyPowerDiode,40A 文件：118.84 Kbytes Page：2 Pages	NAINA Naina Semiconductor ltd.
1N5832	SchottkyBarrierRectifierDiode 文件：99.64 Kbytes Page：2 Pages	NAINA Naina Semiconductor ltd.
1N5832	GENERALPURPOSESCHOTTKYRECTIFIER 文件：131.93 Kbytes Page：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
1N5832	40AmpSchottkyRectifier 文件：134.21 Kbytes Page：2 Pages	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
1N5832_07	40AmpSchottkyRectifier 文件：134.21 Kbytes Page：2 Pages	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
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1N5832_13	SchottkyPowerDiode,40A 文件：118.84 Kbytes Page：2 Pages	NAINA Naina Semiconductor ltd.
1N5832_18	SiliconPowerSchottkyDiode 文件：643.35 Kbytes Page：3 Pages	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.
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1N5833R	SchottkyPowerDiode,40A 文件：118.84 Kbytes Page：2 Pages	NAINA Naina Semiconductor ltd.
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1N5834	SiliconPowerSchottkyDiode 文件：643.35 Kbytes Page：3 Pages	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.
1N5834	SchottkyPowerDiode,40A 文件：118.84 Kbytes Page：2 Pages	NAINA Naina Semiconductor ltd.
1N5834R	SchottkyPowerDiode,40A 文件：118.84 Kbytes Page：2 Pages	NAINA Naina Semiconductor ltd.
1N5834R	SiliconPowerSchottkyDiode 文件：643.35 Kbytes Page：3 Pages	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.

1N583产品属性

类型
描述
型号
1N583
功能描述
肖特基二极管与整流器 25V - 25A Schottky Rectifier
RoHS
否
制造商
Skyworks Solutions, Inc.
产品
Schottky Diodes
峰值反向电压
2 V
正向连续电流
50 mA
配置
Crossover Quad
正向电压下降
370 mV
最大功率耗散
75 mW
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装/箱体
SOT-143
封装
Reel

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更新时间：2025-7-29 17:10:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市创新迹电子有限公司	1N5831	MICROSEMI	23+		7600	专注配单,只做原装进口现货	询价
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1N5822
1N5822，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
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1N5924BRLG，1N5927BG，1N6295AG，1N6296A，1N6297A，1N6298ARL4
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