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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
1N5386A

SILICONZENERDIODES

VZ:3.3-200Volts PD:5Watts FEATURES: *CompleteVoltageRange3.3to200Volts *Highpeakreversepowerdissipation *Highreliability *Lowleakagecurrent

EIC

EIC

EIC
1N5386A

5-WATTZENERREGULATORDIODES3.3-200VOLTS

5-WATTZENERREGULATORDIODES3.3-200VOLTS

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
1N5386A

SILICONZENERDIODES

VZ:3.3-200Volts PD:5Watts FEATURES: *CompleteVoltageRange3.3to200Volts *Highpeakreversepowerdissipation *Highreliability *Lowleakagecurrent

EIC

EIC

EIC
1N5386A

SILICONZENERDIODES

文件：103.76 Kbytes Page：3 Pages

EIC

EIC

EIC
1N5386

5WZENERDIODE

Features •VoltageRange8.2V-200V •GlassPassivatedJunction •5WSteadyState •HighSurgeCapability •±5VoltageToleranceonNominalVZisStandard •100Tested

DIODESDiodes Incorporated

达尔科技

DIODES
1N5386

GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODE(VOLTAGE-11to200VoltsPower-5.0Watts)

FEATURES •Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace. •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Glasspassivatedjunction •Lowinductance •TypicalIDlessthan1.0µAabove13V •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O •

PANJITPANJIT International Inc.

强茂強茂股份有限公司

PANJIT
1N5386

5WATTZENERREGULATORDIODES3.3-200VOLTS

5-WattSurmetic40SiliconZenerDiodes

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola
1N5386

GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODE

VOLTAGE-11TO200VoltsPower-5.0Watts FEATURES Lowprofilepackage Built-instrainrelief Glasspassivatedjunction Lowinductance TypicalIDlessthan1Aabove13V Hightemperaturesoldering:260/10secondsatterminals PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory Flammability

TRSYS

Transys Electronics

TRSYS
1N5386

5WattSurmetic40SiliconZenerDiodes

5WattSurmetic40SiliconZenerDiodes •••acompleteseriesof5WattZenerDiodeswithtightlimitsandbetteroperatingcharacteristicsthatreflectthesuperiorcapabilitiesofsilicon-oxide-passivatedjunctions.Allthisisinanaxial-lead,transfer-moldedplasticpackagethatoffersprote

bocaBoca semiconductor corporation

博卡博卡半导体公司

boca
1N5386A/TR8

封装/外壳：T-18，轴向 包装：卷带（TR） 描述：DIODE ZENER 180V 5W T18 分立半导体产品 二极管 - 齐纳 - 单

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
1N5386AE3/TR12

封装/外壳：T-18，轴向 包装：卷带（TR） 描述：DIODE ZENER 180V 5W T18 分立半导体产品 二极管 - 齐纳 - 单

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi

1N5386A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    1N5386A

  • 制造商

    Microsemi Corporation

  • 功能描述

    5.0W, VZ = 180V, ? 10% - Tape and Reel

  • 制造商

    Microsemi Corporation

  • 功能描述

    DIODE ZENER 5.0W 180V 10% T-18

1N5386A供应商更多...

更新时间：2024-6-23 19:07:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
瀚佳科技(深圳)有限公司
1N5386B
ON
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017AA
17387
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1N5386AT/R
EIC
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3000
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9220
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1N5386B
SUNMATE/森美特
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深圳市芯祺盛科技有限公司
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深圳市惊羽科技有限公司
1N5386B
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DO-15
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