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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
1N1185 | Silicon Power Rectifier Silicon Power Rectifier • Glass Passivated Die • 800A surge rating • Glass to metal construction • VRRM to 1000V | MICROSEMI 美高森美 |   | |
1N1185 | 35,40,and 60 Amp Power Silicon Rectifier Diodes 35,40,and 60 Amp Power Silicon Rectifier Diodes | IRF | | |
1N1185 | Power Silicon Rectifier Diodes, 35 A/40 A/60 A DESCRIPTION/FEATURES • Low leakage current series • Good surge current capability up to 1000 A • Can be supplied to meet stringent military, aerospace and other high reliability requirements • Compliant to RoHS directive 2002/95/EC | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
1N1185 | Silicon Power Rectifier Silicon Power Rectifier • Glass Passivated Die • 800A surge rating • Glass to metal construction • VRRM to 1000V | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | | |
1N1185 | STANDARD RECOVERY RECTIFIER STANDARD RECOVERY RECTIFIER | DIGITRON | | |
1N1185 | Standard Recovery Diode, 35A 文件：559.99 Kbytes Page：2 Pages | NAINA | | |
1N1185 | 包装：散装 描述：STANDARD RECTIFIER 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | MICROCHIP 微芯科技 | | |
1N1185 | Power Silicon Rectifier Diodes, 35 A/40 A/60 A 文件：297.27 Kbytes Page：8 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
1N1185 | Silicon Power Rectifier 文件：132.23 Kbytes Page：2 Pages | MICROSEMI 美高森美 | | |
1N1185 | Rectifier Diode Switching 2-Pin 150V, 40A DO-5 Tray | MICROCHIP 微芯科技 | | |
35,40,and 60 Amp Power Silicon Rectifier Diodes 35,40,and 60 Amp Power Silicon Rectifier Diodes | IRF | | ||
STANDARD RECOVERY RECTIFIER STANDARD RECOVERY RECTIFIER | DIGITRON | | ||
Silicon Power Rectifier Silicon Power Rectifier • Glass Passivated Die • 800A surge rating • Glass to metal construction • VRRM to 1000V | MICROSEMI 美高森美 | | ||
Power Silicon Rectifier Diodes, 35 A/40 A/60 A DESCRIPTION/FEATURES • Low leakage current series • Good surge current capability up to 1000 A • Can be supplied to meet stringent military, aerospace and other high reliability requirements • Compliant to RoHS directive 2002/95/EC | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
STUD MOUNTED POWER RECTIFIERS Silicon Power Rectifier • Glass Passivated Die • 800A surge rating • Glass to metal construction • VRRM to 1000V | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | | ||
Silicon Power Rectifier Silicon Power Rectifier • Glass Passivated Die • 800A surge rating • Glass to metal construction • VRRM to 1000V | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | | ||
Standard Recovery Diode, 40A 文件：555.09 Kbytes Page：2 Pages | NAINA | | ||
Silicon Power Rectifier 文件：132.23 Kbytes Page：2 Pages | MICROSEMI 美高森美 | | ||
Power Silicon Rectifier Diodes, 35 A/40 A/60 A 文件：297.27 Kbytes Page：8 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Rectifier Diode Switching 2-Pin 150V, 40A DO-5 Tray | MICROCHIP 微芯科技 | | ||
包装：散装 描述：STANDARD RECTIFIER 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | MICROCHIP 微芯科技 | |
1N1185产品属性
- 类型
描述
- 型号
1N1185
- 功能描述
DIODE STD REC 150V 35A DO-5
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器
- 系列
-
- 标准包装
100
- 系列
-
- 二极管类型
标准 电压
- -(Vr)（最大）
50V 电流 -
- 平均整流(Io)
6A 电压 - 在 If
- 时为正向(Vf)（最大）
1.4V @ 6A
- 速度
快速恢复 = 200mA（Io）
- 反向恢复时间(trr)
300ns 电流 - 在 Vr
- 时反向漏电
15µA @ 50V 电容@ Vr,
- F
-
- 安装类型
底座，接线柱安装
- 封装/外壳
DO-203AA，DO-4，接线柱
- 供应商设备封装
DO-203AA
- 包装
散装
- 其它名称
*1N3879
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
DO-5 |
1700 |
原装现货假一罚十 |
|||
IR/MSC |
2023+ |
MODULE |
1392 |
主打螺丝模块系列 |
|||
24+ |
N/A |
46000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
MICROSEMI |
专业模块 |
MODULE |
8513 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
|||
IR |
23+ |
DO-5 |
8000 |
只做原装现货 |
|||
NO |
24+ |
NO |
1 |
||||
Microsemi |
25+ |
电联咨询 |
7800 |
公司现货,提供拆样技术支持 |
|||
IR |
专业铁帽 |
DO-5 |
50 |
原装铁帽专营,代理渠道量大可订货 |
|||
Microchip Technology |
25+ |
DO-203AB(DO-5) |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
IR |
22+ |
MODULE |
6000 |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
1N1185规格书下载地址
1N1185参数引脚图相关
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2022-5-161N4001
1N4001，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-9-161N4007
1N4007 ，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-9-21N4007RLG公司大量全新现货随时可以发货
正品
2019-3-1
DdatasheetPDF页码索引
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