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1EDI3050AS

EiceDRIVER™ gate driver 1EDI3050AS Single channel isolated IGBT/SiC-MOSFET driver

Features • Single channel isolated IGBT/SiC driver using coreless transformer technology • For IGBTs/SiC-MOSFETs up to 1200 V • Integrated SPI • CMTI up to 150 V/ns up to 1000 V • 8 kV basic insulation according to DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17):2021-10 • Basic insulation according to U

Infineon

英飞凌

更新时间:2025-8-7 9:27:00
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