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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 120A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance; -RDS(on) = 3.7mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-channel 55 V, 2.9 miliohm, 120 A, TO-220

文件:648.97 Kbytes Page:12 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:1.42537 Mbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2025-12-29 20:46:01
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