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丝印代码:M18N03Z;N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features: ● Low Gate Charge for Fast Switching Application ● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss ● 100% EAS Guaranteed ● Optimized V(BR)DSS Ruggedness ● Green Device Available Description: The ADM18N03Z uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with l

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爱德微

丝印代码:YFW18N03ADXXXXX;30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Application 3.3V MCU Drive Load switch Uninterruptible power supply

YFWDIODE

佑风微

丝印代码:Q18N03;N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:688.25 Kbytes Page:6 Pages

YANGJIE

扬杰电子

更新时间:2026-3-12 9:48:01
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