| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 14A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.375Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 |   | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 14A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.375Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：244.85 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
N-channel 800 V, 0.3 ohm typ., 14 A SuperMESH 5 Power MOSFET 文件：1.28779 Mbytes Page：22 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
N-channel 800 V, 0.3 ohm typ., 14 A SuperMESH 5 Power MOSFET 文件：1.28779 Mbytes Page：22 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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深圳科雨电子有限公司，联系人：卢小姐 手机：18975515225 原装正品 大量现货，有需要的可以联系我 QQ:97877805 微信：wei555222777
2019-5-1715KP17A-15000瓦的瞬态电压抑制器
15000瓦的瞬态电压抑制器17至280伏 特点 ☆15000瓦峰值脉冲电源10/1000us能力 ☆波形 ☆玻璃钝化结及塑料包装设备 ☆低增量浪涌电阻 ☆保证高温焊接 ☆快速响应时间 最大额定值 工作温度：-55℃~ +175℃ 储存温度：-55℃~+175℃ 最低15000瓦的峰值脉冲功率的能力上 10/1000us波形 Walts稳定状态功率损耗RL=75℃，铅
2012-11-10
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