| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
13001SQ | NPN Transistor 三极管,NPN,VCBO 700V,VCEO 420V,VEBO 10A,IC 0.15A,PD 550mW,HFE 15~25,FT Min.5MHZ,Package SOT-89 | TANiSemi |   | |
13001SQ | 丝印代码：13001；NPN Transistor 文件：509.08 Kbytes Page：4 Pages | PJSEMI 平晶半导体 | | |
HMJE13001 Description The HMJE13001 is a medium power transistor designed for use in switching applications. Features • High breakdown voltage • Low collector saturation voltage • Fast switching speed | HSMC 华昕 | | ||
3 SINGLE DIGIT NUMBERIC DISPLAYS SEVEN SEGMENT NUMERIC DISPLAY Ultra high brightness red GaAlAs 3 inch Character Height High Contrast Wide Viewing Angle Common Anode - MU13001A Common Cathode - MU13001C | MICRO-ELECTRONICS | | ||
3 SINGLE DIGIT NUMBERIC DISPLAYS SEVEN SEGMENT NUMERIC DISPLAY Ultra high brightness red GaAlAs 3 inch Character Height High Contrast Wide Viewing Angle Common Anode - MU13001A Common Cathode - MU13001C | MICRO-ELECTRONICS | | ||
High Voltage NPN Transistor BVCEO = 400V BVCBO = 500V Ic = 0.1A VCE (SAT), = 0.5V @ Ic / Ib = 50mA / 10mA Features ◇ High voltage. ◇ High speed switching Structure ◇ Silicon triple diffused type. ◇ NPN silicon transistor | TSC 台湾半导体 | | ||
FULL COLOR LED LAMP FOR OUTDOOR USE 文件：69.02 Kbytes Page：1 Pages | PANASONIC 松下 | |
13001SQ产品属性
- 类型
描述
- VCBO：
700V
- VCEO：
420V
- VEBO：
10A
- IC：
0.15A
- PD：
550mW
- HFE：
15~25
- FT_Min：
5MHZ
- Package：
SOT-89
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NK/南科功率 |
23+ |
SOT-89 |
360000 |
专业供应MOS/LDO/晶体管/有大量价格低 |
|||
NK/南科功率 |
2511 |
SOT-89 |
360000 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
13001SQ规格书下载地址
13001SQ参数引脚图相关
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13001SQ数据表相关新闻
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2019-3-13
DdatasheetPDF页码索引
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