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10ETS08-M3 | High Voltage Input Rectifier Diode FEATURES · Glass Passivated Pellet Chip Junction · Low Forward Voltage Drop · 150℃ Max. Operating Junction Temperature APPLICATIONS · IEV/HEV Battery Chargers · Input Rectification · Main Rectification (Single or Three Phase Bridge) | ISC 无锡固电 |   | |
High Voltage, Input Rectifier Diode, 10 A 文件：169.48 Kbytes Page：6 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | |
更新时间：2025-12-27 23:01:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IR |
24+ |
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10ETS08-M3规格书下载地址
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