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封装/外壳:1111(2828 公制) 包装:托盘 描述:CAP CER 82PF 500V P90 1111 电容器 陶瓷电容器

ETC

知名厂家

封装/外壳:1111(2828 公制) 包装:托盘 描述:CAP CER 82PF 500V P90 1111 电容器 陶瓷电容器

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贴片电容(MLCC)

ETC

知名厂家

RF Power Field Effect Transistors

RF Power Field Effect Transistors N- Channel Enhancement- Mode Lateral MOSFETs Designed primarily for CW large- signal output and driver applications with frequencies up to 600 MHz. Devices are unmatched and are suitable for use in industrial, medical and scientific applications.

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

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freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

更新时间:2025-12-28 9:30:00
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