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N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The G080N06K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

GOFORD

谷峰半导体

OptiMOS짰 Power-Transistor

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Infineon

英飞凌

OptiMOS??Power-Transistor Features Low gate charge for fast switching applications

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Infineon

英飞凌

OptiMOS??Power-Transistor Features Low gate charge for fast switching applications

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Infineon

英飞凌

更新时间:2025-12-25 18:19:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FUJITSU/富士通
24+
222
现货供应
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24+
NA/
3350
原装现货,当天可交货,原型号开票
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TO-220
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