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08051J0R4BBT

Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor

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freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

封装/外壳:0805(2012 公制) 包装:卷带(TR) 描述:CAP THIN FILM 0.4PF 100V 0805 电容器 薄膜电容器

KSS

京瓷

Gallium Arsenide pHEMT RF Power Field Effect Transistor

ETC

知名厂家

08051J0R4BBT产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    08051J0R4BBT

  • 制造商

    FREESCALE

  • 制造商全称

    Freescale Semiconductor, Inc

  • 功能描述

    Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor

更新时间:2025-11-20 20:00:00
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