| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
07N60C2 | N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET 文件：2.12307 Mbytes Page：10 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  |   |
CoolMOS??PowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 |  | | |
CoolMOS??PowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | | | |
N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS •Serverandtelecompowersupplies •Switchmodepowersupplies(SMPS) •Powerfactorcorrection | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | | |
CoolMOS??PowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •WorldwidebestRDS(on)inTO-251andTO-252 •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Improvednoiseimmunity | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飞凌 |
1948+ |
TO-252 |
6852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
|||
INFINEON |
TO220F |
15620 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
原厂原封可拆样 |
54687 |
百分百原装现货 实单必成 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-220 |
90000 |
一定原装房间现货 |
|||
INF进口原 |
17+ |
220-220F |
6200 |
||||
17 |
24+ |
TO-262 |
168 |
原装现货假一赔十 |
|||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
公司只做原装，可来电咨询 |
|||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
标准封装 |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
|||
Infineon |
23+ |
NA |
256 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
INFINEON |
23+ |
TO-252 |
8000 |
只做原装现货 |
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075N15N
2022-1-1907D101K
07D101K，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-9-29
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