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068N10N

100V N-Channel MOSFET

Features • Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM) • Very low on-resistance RDS(on) • 175 °C operating temperature • Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification •(VGS = 10V) •VDS (V) =100V •ID =90A •RDS(ON)

UMW

友台半导体

更新时间:2026-1-2 15:01:00
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