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N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features ⚫ High density cell design for ultra low RDS(on) ⚫ VDS= 40V,ID= 5A RDS(on)

HUIXIN

慧芯电子

Super high dense cell design for low RDS(ON).

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SAMHOP

三合微科

更新时间:2026-3-11 17:04:01
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