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N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH FRD

Features ▼ High Speed Switching ▼ Low Saturation Voltage VCE(sat)=2.3V@IC=5A ▼ CO-PAK, IGBT With FRD ▼ RoHS Compliant & Halogen-Free

A-POWER

富鼎先进电子

Surge Protection Module

文件:589.7 Kbytes Page:4 Pages

LITTELFUSE

力特

更新时间:2026-3-11 12:31:01
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