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04P10P

P-Channel100V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

P-Channel100V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR

VBR:6.8-440Volts PPK:400Watts FEATURES: *400Wsurgecapabilityat1ms *Excellentclampingcapability *Lowzenerimpedance *Fastresponsetime:typicallylessthen1.0psfrom0volttoVBR(min) *TypicalIRlessthen1mAabove10V

EIC

EIC discrete Semiconductors

EIC

TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR

BREAKDOWNVOLTAGE:5.8---376VPEAKPULSEPOWER:400W FEATURES ♦Plasticpackagehasunderwriterslaboratoryflammabilityclassification94V-0 ♦Glasspassivatedjunction ♦400Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform,repetitionrate(dutycycle):0.01 ♦Excellentclampingc

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司

BILIN

MINITYPELEDLAMPS

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DBLECTRODB Lectro Inc

迪贝电子

DBLECTRO
更新时间:2025-6-20 12:04:00
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