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芯片资料

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031N03L	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU APPLICATIONS • OR-ing • Server • DC/DC	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
IPD031N03LG	OptiMOS?? Power-Transistor Features • Fast switching MOSFET for SMPS • Optimized technology for DC/DC converters • Qualified according to JEDEC1) for target applications • N-channel, logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • Avalanche rated • Pb-free plating; Ro	Infineon 英飞凌	Infineon
IIPD031N03L	N-Channel MOSFET Transistor 文件：335.17 Kbytes Page：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPD031N03L	N-Channel MOSFET Transistor 文件：335.17 Kbytes Page：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPD031N03L-G	OpiMOS 3 Power-Transistor 文件：420.4 Kbytes Page：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

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更新时间：2025-11-19 23:00:00

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2019-8-27