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VMMK-1218-TR1G

0.5to18GHzLowNoiseE-PHEMTinaWaferScalePackage

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安华高安华高科技

AVAGO
VMMK-1218-TR1G

封装/外壳:0402(1005 公制) 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 5V 10GHZ 0402 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

BroadcomBroadcom Limited

博通博通公司

Broadcom

VMMK-1218-TR1G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    VMMK-1218-TR1G

  • 功能描述

    射频GaAs晶体管 LNA FET in Microcap DC-18GHz

  • RoHS

  • 制造商

    TriQuint Semiconductor

  • 技术类型

    pHEMT

  • 频率

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益

    10 dB

  • 噪声系数

    正向跨导

  • gFS(最大值/最小值)

    4 S 漏源电压

  • 闸/源击穿电压

    - 8 V

  • 漏极连续电流

    3 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 功率耗散

    10 W

更新时间:2024-5-15 20:19:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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